AP5N2K2EN1 Todos los transistores

 

AP5N2K2EN1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP5N2K2EN1
   Código: BSS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.9 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 1.2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT723
 

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AP5N2K2EN1 Datasheet (PDF)

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AP5N2K2EN1

AP5N2K2EN1Halogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 0.9V Very Low Gate Drive BVDSS 50VD Lower Gate Charge RDS(ON) 2.2G Fast Switching Performance ID 200mA RoHS Compliant & Halogen-Free HBM ESD 2KVSDescription2 1 : Gate2 : DrainAP5N2K2E series are from Advanced Power innovated design3 : Sourc

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History: TT8M2 | CJAC10TH10 | TPCC8074

 

 
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