Справочник MOSFET. AP5N2K2EN1

 

AP5N2K2EN1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AP5N2K2EN1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm
   Тип корпуса: SOT723

 Аналог (замена) для AP5N2K2EN1

 

 

AP5N2K2EN1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:179K  ape
 ap5n2k2en1.pdf

AP5N2K2EN1 AP5N2K2EN1

AP5N2K2EN1Halogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 0.9V Very Low Gate Drive BVDSS 50VD Lower Gate Charge RDS(ON) 2.2G Fast Switching Performance ID 200mA RoHS Compliant & Halogen-Free HBM ESD 2KVSDescription2 1 : Gate2 : DrainAP5N2K2E series are from Advanced Power innovated design3 : Sourc

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: AP60SL300AFI

 

 
Back to Top