AP9938GEO MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP9938GEO
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
Encapsulados: TSSOP8
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AP9938GEO datasheet
ap9938geo.pdf
AP9938GEO-HF Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET G2 S2 Low on-resistance S2 BVDSS 20V D2 Capable of 1.8V Gate Drive G1 RDS(ON) 18m S1 S1 TSSOP-8 D1 Optimal DC/DC Battery Application ID3 6A Halogen Free & RoHS Compliant Product Description D1 D2 Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer
ap9938geo-hf.pdf
AP9938GEO-HF Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET G2 S2 Low on-resistance S2 BVDSS 20V D2 Capable of 1.8V Gate Drive G1 RDS(ON) 18m S1 S1 TSSOP-8 D1 Optimal DC/DC Battery Application ID 6A Halogen Free & RoHS Compliant Product Description D1 D2 Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer
ap9938gem-hf.pdf
AP9938GEM-HF Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET D2 Simple Drive Requirement BVDSS 20V D2 D1 Low On-resistance RDS(ON) 18m D1 Fast Switching Performance ID 8.5A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free G1 S1 SO-8 Description AP9938 series are from Advanced Power innovated design and D1 D2 silicon pr
ap9938gey.pdf
AP9938GEY-HF Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Capable of 1.8V Gate Drive BVDSS 20V D1/D2 Lower on-resistance RDS(ON) 16m G2 Surface Mount Package ID 7.5A S2 RoHS Compliant & Halogen-Free G1 S1 2928-8 Description D1 D2 Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing G1 G2 techniques to achiev
Otros transistores... AP99T03GP , AP9992GR , AP9990GMT-L , AP9990GMT , AP9979GH , AP9950AGP , AP9950AGH , AP9938GEY , IRFB7545 , AP9938AGEY , AP9926GEO , AP9923GEO , AP9922GEO , AP97T07AGP , AP95T10AGP , AP95T07BGP , AP9579GJ .
History: AP3N045EN | AP2045Q | AP3N028EN | AP4024EM | 2SK1443 | AP9475GM | HY1506I
History: AP3N045EN | AP2045Q | AP3N028EN | AP4024EM | 2SK1443 | AP9475GM | HY1506I
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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