AP9938GEO - аналоги и даташиты транзистора

 

AP9938GEO - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP9938GEO
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP8
 

 Аналог (замена) для AP9938GEO

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9938GEO Datasheet (PDF)

 ..1. Size:144K  ape
 ap9938geo.pdf pdf_icon

AP9938GEO

AP9938GEO-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFETG2S2 Low on-resistance S2 BVDSS 20VD2 Capable of 1.8V Gate Drive G1 RDS(ON) 18mS1S1TSSOP-8D1 Optimal DC/DC Battery Application ID3 6A Halogen Free & RoHS Compliant ProductDescriptionD1 D2Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer

 0.1. Size:73K  ape
 ap9938geo-hf.pdf pdf_icon

AP9938GEO

AP9938GEO-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFETG2S2 Low on-resistance S2 BVDSS 20VD2 Capable of 1.8V Gate Drive G1 RDS(ON) 18mS1S1TSSOP-8D1 Optimal DC/DC Battery Application ID 6A Halogen Free & RoHS Compliant ProductDescriptionD1 D2Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer

 6.1. Size:73K  ape
 ap9938gem-hf.pdf pdf_icon

AP9938GEO

AP9938GEM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFETD2 Simple Drive Requirement BVDSS 20VD2D1 Low On-resistance RDS(ON) 18mD1 Fast Switching Performance ID 8.5AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-FreeG1S1SO-8DescriptionAP9938 series are from Advanced Power innovated design andD1 D2silicon pr

 6.2. Size:177K  ape
 ap9938gey.pdf pdf_icon

AP9938GEO

AP9938GEY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Capable of 1.8V Gate Drive BVDSS 20VD1/D2 Lower on-resistance RDS(ON) 16mG2 Surface Mount Package ID 7.5AS2 RoHS Compliant & Halogen-Free G1S12928-8DescriptionD1 D2Advanced Power MOSFETs utilized advanced processingG1 G2techniques to achiev

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP99T03GP , AP9992GR , AP9990GMT-L , AP9990GMT , AP9979GH , AP9950AGP , AP9950AGH , AP9938GEY , IRF520 , AP9938AGEY , AP9926GEO , AP9923GEO , AP9922GEO , AP97T07AGP , AP95T10AGP , AP95T07BGP , AP9579GJ .

History: AP2622GY-HF | R6011ENX | IRFY310 | PDS4810 | KF3N60P | BUZ40B | AP10C150M

 

 
Back to Top

 


 
.