AP8N4R2MT Todos los transistores

 

AP8N4R2MT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP8N4R2MT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1700 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0042 Ohm
   Paquete / Cubierta: PMPAK5X6
 

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AP8N4R2MT Datasheet (PDF)

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AP8N4R2MT

AP8N4R2MTHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 80VD SO-8 Compatible with Heatsink RDS(ON) 4.2m Ultra Low On-resistanceG RoHS Compliant & Halogen-FreeDSDDDescriptionDAP8N4R2 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve th

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History: 2SK2445 | GP1T080A120B

 

 
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