AP8N4R2MT - описание и поиск аналогов

 

AP8N4R2MT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP8N4R2MT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1700 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm

Тип корпуса: PMPAK5X6

Аналог (замена) для AP8N4R2MT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP8N4R2MT даташит

 ..1. Size:71K  ape
 ap8n4r2mt.pdf pdf_icon

AP8N4R2MT

AP8N4R2MT Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 80V D SO-8 Compatible with Heatsink RDS(ON) 4.2m Ultra Low On-resistance G RoHS Compliant & Halogen-Free D S D D Description D AP8N4R2 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve th

Другие MOSFET... AP9410GH , AP9410AGH , AP93T03AGH , AP8N8R0P , AP8N8R0MT , AP8N8R0J , AP8N8R0I , AP8N8R0H , 50N06 , AP8N3R5CMT , AP8604CDT , AP8600S , AP8600P , AP8600MT-L , AP8600MT , AP85T10AGP , AP80WN2K5I .

History: ME3205T | 2SK1941 | MTA50P01SN3

 

 

 

 

↑ Back to Top
.