Справочник MOSFET. AP8N4R2MT

 

AP8N4R2MT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP8N4R2MT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1700 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm
   Тип корпуса: PMPAK5X6
 

 Аналог (замена) для AP8N4R2MT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP8N4R2MT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:71K  ape
 ap8n4r2mt.pdf pdf_icon

AP8N4R2MT

AP8N4R2MTHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 80VD SO-8 Compatible with Heatsink RDS(ON) 4.2m Ultra Low On-resistanceG RoHS Compliant & Halogen-FreeDSDDDescriptionDAP8N4R2 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve th

Другие MOSFET... AP9410GH , AP9410AGH , AP93T03AGH , AP8N8R0P , AP8N8R0MT , AP8N8R0J , AP8N8R0I , AP8N8R0H , 50N06 , AP8N3R5CMT , AP8604CDT , AP8600S , AP8600P , AP8600MT-L , AP8600MT , AP85T10AGP , AP80WN2K5I .

History: FQD12P10TF | IXTA28P065T

 

 
Back to Top

 


 
.