AP8N3R5CMT Todos los transistores

 

AP8N3R5CMT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP8N3R5CMT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1615 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm
   Paquete / Cubierta: PMPAK5X6
 

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AP8N3R5CMT Datasheet (PDF)

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AP8N3R5CMT

AP8N3R5CMTHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 80VD SO-8 Compatible with Heatsink RDS(ON) 3.5m Ultra Low On-resistanceG RoHS Compliant & Halogen-FreeDSDDDescriptionDAP8N3R5C series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lo

Otros transistores... AP9410AGH , AP93T03AGH , AP8N8R0P , AP8N8R0MT , AP8N8R0J , AP8N8R0I , AP8N8R0H , AP8N4R2MT , IRF640 , AP8604CDT , AP8600S , AP8600P , AP8600MT-L , AP8600MT , AP85T10AGP , AP80WN2K5I , AP80SL990BJB .

History: TK30E06N1 | NP20P06YLG | DMTH4004SCTB | TPCA8018-H

 

 
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