AP8N3R5CMT - аналоги и даташиты транзистора

 

AP8N3R5CMT - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP8N3R5CMT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1615 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
   Тип корпуса: PMPAK5X6
 

 Аналог (замена) для AP8N3R5CMT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP8N3R5CMT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:163K  ape
 ap8n3r5cmt.pdf pdf_icon

AP8N3R5CMT

AP8N3R5CMTHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 80VD SO-8 Compatible with Heatsink RDS(ON) 3.5m Ultra Low On-resistanceG RoHS Compliant & Halogen-FreeDSDDDescriptionDAP8N3R5C series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lo

Другие MOSFET... AP9410AGH , AP93T03AGH , AP8N8R0P , AP8N8R0MT , AP8N8R0J , AP8N8R0I , AP8N8R0H , AP8N4R2MT , IRFP460 , AP8604CDT , AP8600S , AP8600P , AP8600MT-L , AP8600MT , AP85T10AGP , AP80WN2K5I , AP80SL990BJB .

History: YJL2305B

 

 
Back to Top

 


 
.