AP8N3R5CMT - описание и поиск аналогов

 

AP8N3R5CMT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP8N3R5CMT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1615 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm

Тип корпуса: PMPAK5X6

Аналог (замена) для AP8N3R5CMT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP8N3R5CMT даташит

 ..1. Size:163K  ape
 ap8n3r5cmt.pdf pdf_icon

AP8N3R5CMT

AP8N3R5CMT Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 80V D SO-8 Compatible with Heatsink RDS(ON) 3.5m Ultra Low On-resistance G RoHS Compliant & Halogen-Free D S D D Description D AP8N3R5C series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lo

Другие MOSFET... AP9410AGH , AP93T03AGH , AP8N8R0P , AP8N8R0MT , AP8N8R0J , AP8N8R0I , AP8N8R0H , AP8N4R2MT , IRFP460 , AP8604CDT , AP8600S , AP8600P , AP8600MT-L , AP8600MT , AP85T10AGP , AP80WN2K5I , AP80SL990BJB .

History: CS5N60A8H | MTB1D0N03RH8

 

 

 

 

↑ Back to Top
.