AP8600S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AP8600S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 105 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 74 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1570 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AP8600S

AP8600S Datasheet (PDF)

..1. Size:218K ape
ap8600s.pdf

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8.1. Size:207K ape
ap8600p.pdf

AP8600PHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement D BVDSS 80V Ultra-low On-resistance RDS(ON) 5m Fast Switching Characteristic ID3 105AGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series are from Advanced Power innovated designAP8600 series are from Advanced Power innova

8.2. Size:163K ape
ap8600mt.pdf

AP8600MTHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 80VD SO-8 Compatible with Heatsink RDS(ON) 3.9m Ultra Low On-resistance ID4 120AG RoHS Compliant & Halogen-FreeDSDDDescriptionDAP8600 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to ach

8.3. Size:319K ape
ap8600mt-l.pdf

AP8600MT-LHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 80VD 100% Rg & UIS Test RDS(ON) 3.9m Ultra Low On-resistance ID4 60AG RoHS Compliant & Halogen-FreeDSDDDescriptionDAP8600 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the l

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