AP8600S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AP8600S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 105 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 74 nC
trⓘ - Время нарастания: 70 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1570 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
Тип корпуса: TO263
AP8600S Datasheet (PDF)
ap8600s.pdf
AP8600SHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement D BVDSS 80V Ultra-low On-resistance RDS(ON) 5m Fast Switching Characteristic ID4 105AGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series are from Advanced Power innovated designAP8600 series are from Advanced Power innova
ap8600p.pdf
AP8600PHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement D BVDSS 80V Ultra-low On-resistance RDS(ON) 5m Fast Switching Characteristic ID3 105AGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series are from Advanced Power innovated designAP8600 series are from Advanced Power innova
ap8600mt.pdf
AP8600MTHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 80VD SO-8 Compatible with Heatsink RDS(ON) 3.9m Ultra Low On-resistance ID4 120AG RoHS Compliant & Halogen-FreeDSDDDescriptionDAP8600 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to ach
ap8600mt-l.pdf
AP8600MT-LHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 80VD 100% Rg & UIS Test RDS(ON) 3.9m Ultra Low On-resistance ID4 60AG RoHS Compliant & Halogen-FreeDSDDDescriptionDAP8600 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the l
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: SDF220
History: SDF220
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918