AP78T10GP Todos los transistores

 

AP78T10GP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP78T10GP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 138.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 68 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 430 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm

Encapsulados: TO220

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AP78T10GP datasheet

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AP78T10GP

AP78T10GP-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Low On-resistance RDS(ON) 14m Fast Switching Characteristic ID 68A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP78T10 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest

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AP78T10GP

AP78T10GP-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Low On-resistance RDS(ON) 14m Fast Switching Characteristic ID 68A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, G rugge

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History: TK39N60W | WM03DN85A | SMN18T50FD | 2SK1636S | NTMD6N04R2

 

 

 

 

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