AP78T10GP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AP78T10GP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 138.8 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 68 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 60 ns
Выходная емкость (Cd): 430 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.014 Ohm
Тип корпуса: TO220
AP78T10GP Datasheet (PDF)
1.1. ap78t10gp.pdf 
Size:158K _a-power
AP78T10GP-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET ▼ Simple Drive Requirement D BVDSS 100V ▼ Low On-resistance RDS(ON) 14mΩ ▼ Fast Switching Characteristic ID 68A G ▼ RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP78T10 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest
1.2. ap78t10gp-hf.pdf Size:93K _a-power
AP78T10GP-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Ў Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Ў Low On-resistance RDS(ON) 14m? Ў Fast Switching Characteristic ID 68A G Ў RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, G ruggedized dev
Другие MOSFET... AP80SL990BJB , AP80SL990BI , AP80SL990BH , AP80SL650AI , AP80SL400DI , AP80SL400AS , AP80SL400AP , AP80SL400AI , IRF830 , AP76T03AGMT , AP75T12GI , AP70WN2K8L , AP70WN2K8I , AP70WN2K8H , AP70WN1K5P , AP70WN1K5I , AP70SL950AJB .
