AP6N8R2LMT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP6N8R2LMT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1330 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0082 Ohm
Encapsulados: PMPAK5X6
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AP6N8R2LMT datasheet
ap6n8r2lmt.pdf
AP6N8R2LMT Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 60V D SO-8 Compatible with Heatsink RDS(ON) 8.2m Ultra Low On-resistance ID 60A G RoHS Compliant & Halogen-Free D S D D Description D AP6N8R2L series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve
ap6n8r2alh.pdf
AP6N8R2ALH Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test D BVDSS 60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 8.2m Fast Switching Characteristic ID 60A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description G AP6N8R2AL series are from Advanced Power innovated design D S TO-252(H) and silicon process technology t
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History: BSS138LT3 | MTP5P18
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Liste
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MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
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