AP6N8R2LMT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AP6N8R2LMT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1330 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0082 Ohm
   Paquete / Cubierta: PMPAK5X6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AP6N8R2LMT

AP6N8R2LMT Datasheet (PDF)

..1. Size:163K ape
ap6n8r2lmt.pdf

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7.1. Size:204K ape
ap6n8r2alh.pdf

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History: STW60NM50N

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: