Справочник MOSFET. AP6N8R2LMT

 

AP6N8R2LMT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AP6N8R2LMT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1330 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0082 Ohm
   Тип корпуса: PMPAK5X6

 Аналог (замена) для AP6N8R2LMT

 

 

AP6N8R2LMT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:163K  ape
 ap6n8r2lmt.pdf

AP6N8R2LMT AP6N8R2LMT

AP6N8R2LMTHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 60VD SO-8 Compatible with Heatsink RDS(ON) 8.2m Ultra Low On-resistance ID 60AG RoHS Compliant & Halogen-FreeDSDDDescriptionDAP6N8R2L series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve

 7.1. Size:204K  ape
 ap6n8r2alh.pdf

AP6N8R2LMT AP6N8R2LMT

AP6N8R2ALHHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test D BVDSS 60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 8.2m Fast Switching Characteristic ID 60AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionGAP6N8R2AL series are from Advanced Power innovated designDSTO-252(H)and silicon process technology t

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top