AP6N8R2LMT - описание и поиск аналогов

 

AP6N8R2LMT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP6N8R2LMT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1330 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0082 Ohm

Тип корпуса: PMPAK5X6

Аналог (замена) для AP6N8R2LMT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP6N8R2LMT даташит

 ..1. Size:163K  ape
 ap6n8r2lmt.pdf pdf_icon

AP6N8R2LMT

AP6N8R2LMT Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 60V D SO-8 Compatible with Heatsink RDS(ON) 8.2m Ultra Low On-resistance ID 60A G RoHS Compliant & Halogen-Free D S D D Description D AP6N8R2L series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve

 7.1. Size:204K  ape
 ap6n8r2alh.pdf pdf_icon

AP6N8R2LMT

AP6N8R2ALH Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test D BVDSS 60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 8.2m Fast Switching Characteristic ID 60A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description G AP6N8R2AL series are from Advanced Power innovated design D S TO-252(H) and silicon process technology t

Другие MOSFET... AP6P064JB , AP6P064J , AP6P064I , AP6P064H , AP6P025S , AP6P025P , AP6P025I , AP6P025H , SI2302 , AP6N8R2ALH , AP6N6R5P , AP6N6R5LMT-L , AP6N6R5LMT , AP6N6R5I , AP6N6R5H , AP6N4R2P , AP6N4R0I .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.