Справочник MOSFET. AP6N8R2LMT

 

AP6N8R2LMT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP6N8R2LMT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1330 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0082 Ohm
   Тип корпуса: PMPAK5X6
 

 Аналог (замена) для AP6N8R2LMT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP6N8R2LMT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:163K  ape
 ap6n8r2lmt.pdf pdf_icon

AP6N8R2LMT

AP6N8R2LMTHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 60VD SO-8 Compatible with Heatsink RDS(ON) 8.2m Ultra Low On-resistance ID 60AG RoHS Compliant & Halogen-FreeDSDDDescriptionDAP6N8R2L series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve

 7.1. Size:204K  ape
 ap6n8r2alh.pdf pdf_icon

AP6N8R2LMT

AP6N8R2ALHHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test D BVDSS 60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 8.2m Fast Switching Characteristic ID 60AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionGAP6N8R2AL series are from Advanced Power innovated designDSTO-252(H)and silicon process technology t

Другие MOSFET... AP6P064JB , AP6P064J , AP6P064I , AP6P064H , AP6P025S , AP6P025P , AP6P025I , AP6P025H , IRFZ46N , AP6N8R2ALH , AP6N6R5P , AP6N6R5LMT-L , AP6N6R5LMT , AP6N6R5I , AP6N6R5H , AP6N4R2P , AP6N4R0I .

History: SM3005NSF | 2SK2793 | CJAC10TH10 | IRFI840GLCPBF | BF1208D | TPM8205ATS6 | OSG60R022HT3ZF

 

 
Back to Top

 


 
.