IRFI510A Todos los transistores

 

IRFI510A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFI510A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 8.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262
 

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IRFI510A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:282K  1
 irfi510a irfw510a.pdf pdf_icon

IRFI510A

 7.1. Size:159K  international rectifier
 irfi510g.pdf pdf_icon

IRFI510A

Document Number: 90178 www.vishay.com563Document Number: 90178 www.vishay.com564Document Number: 90178 www.vishay.com565Document Number: 90178 www.vishay.com566Document Number: 90178 www.vishay.com567Document Number: 90178 www.vishay.com568Legal Disclaimer NoticeVishayNoticeThe products described herein were acquired by Vishay Intertechnology, Inc., as part o

 7.2. Size:1038K  vishay
 irfi510g irfi510gpbf sihfi510g.pdf pdf_icon

IRFI510A

IRFI510G, SiHFI510GVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 100 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; Availablef = 60 Hz)RDS(on) ()VGS = 10 V 0.54RoHS*COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQg (Max.) (nC) 8.3 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 2.3 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 3.8 Low

 7.3. Size:1040K  vishay
 irfi510g sihfi510g.pdf pdf_icon

IRFI510A

IRFI510G, SiHFI510GVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 100 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; Availablef = 60 Hz)RDS(on) ()VGS = 10 V 0.54RoHS*COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQg (Max.) (nC) 8.3 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 2.3 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 3.8 Low

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