Справочник MOSFET. IRFI510A

 

IRFI510A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFI510A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 8.5 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO262
 

 Аналог (замена) для IRFI510A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFI510A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:282K  1
 irfi510a irfw510a.pdf pdf_icon

IRFI510A

 7.1. Size:159K  international rectifier
 irfi510g.pdf pdf_icon

IRFI510A

Document Number: 90178 www.vishay.com563Document Number: 90178 www.vishay.com564Document Number: 90178 www.vishay.com565Document Number: 90178 www.vishay.com566Document Number: 90178 www.vishay.com567Document Number: 90178 www.vishay.com568Legal Disclaimer NoticeVishayNoticeThe products described herein were acquired by Vishay Intertechnology, Inc., as part o

 7.2. Size:1038K  vishay
 irfi510g irfi510gpbf sihfi510g.pdf pdf_icon

IRFI510A

IRFI510G, SiHFI510GVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 100 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; Availablef = 60 Hz)RDS(on) ()VGS = 10 V 0.54RoHS*COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQg (Max.) (nC) 8.3 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 2.3 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 3.8 Low

 7.3. Size:1040K  vishay
 irfi510g sihfi510g.pdf pdf_icon

IRFI510A

IRFI510G, SiHFI510GVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 100 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; Availablef = 60 Hz)RDS(on) ()VGS = 10 V 0.54RoHS*COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQg (Max.) (nC) 8.3 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 2.3 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 3.8 Low

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFF9220 , IRFF9230 , IRFI1010N , IRFI1310N , IRFI3205 , IRFI3710 , IRFI460 , IRFI4905 , IRLB4132 , IRFI520A , IRFI520N , IRFI5210 , IRFI530A , IRFI530N , IRFI540A , IRFI540N , IRFI550A .

History: NTTFS4928N

 

 
Back to Top

 


 
.