AP60AN750IN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AP60AN750IN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 37 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 72 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.75 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F-NL

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AP60AN750IN

AP60AN750IN Datasheet (PDF)

..1. Size:60K ape
ap60an750in.pdf

AP60AN750INHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 600VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.75 Fast Switching Characteristic ID3 10AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP60AN750 series are from the innovated design and siliconprocess technology to achieve the lowest possible on

4.1. Size:59K ape
ap60an750i.pdf

AP60AN750IHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 600VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.75 Fast Switching Characteristic ID3 10AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP60AN750 series are from the innovated design and siliconprocess technology to achieve the lowest possible on-

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SSP70R600S2 | KP750B | SSS1206H | 2N6963 | DMP21D5UFB4

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: