AP60AN750IN Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP60AN750IN  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 72 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.75 Ohm

Encapsulados: TO220F-NL

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AP60AN750IN datasheet

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AP60AN750IN

AP60AN750IN Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 600V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.75 Fast Switching Characteristic ID3 10A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP60AN750 series are from the innovated design and silicon process technology to achieve the lowest possible on

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AP60AN750IN

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