AP60AN750IN datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP60AN750IN  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm

Тип корпуса: TO220F-NL

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP60AN750IN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP60AN750IN даташит

 ..1. Size:60K  ape
 ap60an750in.pdf pdf_icon

AP60AN750IN

AP60AN750IN Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 600V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.75 Fast Switching Characteristic ID3 10A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP60AN750 series are from the innovated design and silicon process technology to achieve the lowest possible on

 4.1. Size:59K  ape
 ap60an750i.pdf pdf_icon

AP60AN750IN

AP60AN750I Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 600V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.75 Fast Switching Characteristic ID3 10A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP60AN750 series are from the innovated design and silicon process technology to achieve the lowest possible on-

Другие IGBT... AP60SL280AIN, AP60SL280AI, AP60SL150AR, AP60SL150AP, AP60SL150AI, AP60SL115AI, AP60N2R5J, AP60N2R5IN, AO4468, AP60AN750I, AP5602P, AP55T10GR, AP55T10GP, AP55T10GI, AP55T10GH, AP55T06GI, AP50WN750P