IRFI610A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFI610A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 38 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V

Corriente continua de drenaje (Id): 3.3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 160 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.5 Ohm

Empaquetado / Estuche: I2PAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFI610A

IRFI610A Datasheet (PDF)

3.1. irfw610b irfi610b.pdf Size:798K _upd

November 2001 IRFW610B / IRFI610B 200V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect • 3.3A, 200V, RDS(on) = 1.5Ω @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 7.2 nC) planar, DMOS technology. • Low Crss ( typical 6.8 pF) This advanced technology has been especially tailored t

4.1. irfi614g.pdf Size:286K _international_rectifier

PD - 95605 IRFI614GPbF � Lead-Free 7/28/04 Document Number: 91145 www.vishay.com 1 IRFI614GPbF Document Number: 91145 www.vishay.com 2 IRFI614GPbF Document Number: 91145 www.vishay.com 3 IRFI614GPbF Document Number: 91145 www.vishay.com 4 IRFI614GPbF Document Number: 91145 www.vishay.com 5 IRFI614GPbF Document Number: 91145 www.vishay.com 6 IRFI614GPbF Peak Diode Recove

4.2. irfi614g sihfi614g.pdf Size:953K _vishay

IRFI614G, SiHFI614G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY � Isolated Package VDS (V) 250 Available � High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; RDS(on) (?)VGS = 10 V 2.0 f = 60 Hz) RoHS* Qg (Max.) (nC) 8.2 COMPLIANT � Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Qgs (nC) 1.8 � Dynamic dV/dt Rating Qgd (nC) 4.5 � Low Thermal Resistance Configuration Single � Lead

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Liste

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