IRFI610A - аналоги и даташиты транзистора

 

IRFI610A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IRFI610A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO262
 

 Аналог (замена) для IRFI610A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFI610A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:205K  1
 irfi610a irfw610a.pdf pdf_icon

IRFI610A

 7.1. Size:798K  fairchild semi
 irfw610b irfi610b.pdf pdf_icon

IRFI610A

November 2001IRFW610B / IRFI610B200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 3.3A, 200V, RDS(on) = 1.5 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 7.2 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.8 pF)This advanced technology has been especially tailored t

 8.1. Size:209K  1
 irfi614a irfw614a.pdf pdf_icon

IRFI610A

 8.2. Size:286K  international rectifier
 irfi614g.pdf pdf_icon

IRFI610A

PD - 95605IRFI614GPbF Lead-Free7/28/04Document Number: 91145 www.vishay.com1IRFI614GPbFDocument Number: 91145 www.vishay.com2IRFI614GPbFDocument Number: 91145 www.vishay.com3IRFI614GPbFDocument Number: 91145 www.vishay.com4IRFI614GPbFDocument Number: 91145 www.vishay.com5IRFI614GPbFDocument Number: 91145 www.vishay.com6IRFI614GPbFPeak Diode R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFI520A , IRFI520N , IRFI5210 , IRFI530A , IRFI530N , IRFI540A , IRFI540N , IRFI550A , IRFP250 , IRFI614A , IRFI614G , IRFI620A , IRFI620G , IRFI624A , IRFI624G , IRFI630A , IRFI630G .

History: OSG65R760DF | AM4830NS | VBFB165R10

 

 
Back to Top

 


 
.