IRFI610A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFI610A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO262

Аналог (замена) для IRFI610A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFI610A даташит

 ..1. Size:205K  1
 irfi610a irfw610a.pdf pdf_icon

IRFI610A

 7.1. Size:798K  fairchild semi
 irfw610b irfi610b.pdf pdf_icon

IRFI610A

November 2001 IRFW610B / IRFI610B 200V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 3.3A, 200V, RDS(on) = 1.5 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 7.2 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.8 pF) This advanced technology has been especially tailored t

 8.1. Size:209K  1
 irfi614a irfw614a.pdf pdf_icon

IRFI610A

 8.2. Size:286K  international rectifier
 irfi614g.pdf pdf_icon

IRFI610A

PD - 95605 IRFI614GPbF Lead-Free 7/28/04 Document Number 91145 www.vishay.com 1 IRFI614GPbF Document Number 91145 www.vishay.com 2 IRFI614GPbF Document Number 91145 www.vishay.com 3 IRFI614GPbF Document Number 91145 www.vishay.com 4 IRFI614GPbF Document Number 91145 www.vishay.com 5 IRFI614GPbF Document Number 91145 www.vishay.com 6 IRFI614GPbF Peak Diode R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFI520A, IRFI520N, IRFI5210, IRFI530A, IRFI530N, IRFI540A, IRFI540N, IRFI550A, IRFP250, IRFI614A, IRFI614G, IRFI620A, IRFI620G, IRFI624A, IRFI624G, IRFI630A, IRFI630G