IRFI614G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFI614G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 23 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 42 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm

Encapsulados: TO220F

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IRFI614G datasheet

 ..1. Size:286K  international rectifier
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IRFI614G

PD - 95605 IRFI614GPbF Lead-Free 7/28/04 Document Number 91145 www.vishay.com 1 IRFI614GPbF Document Number 91145 www.vishay.com 2 IRFI614GPbF Document Number 91145 www.vishay.com 3 IRFI614GPbF Document Number 91145 www.vishay.com 4 IRFI614GPbF Document Number 91145 www.vishay.com 5 IRFI614GPbF Document Number 91145 www.vishay.com 6 IRFI614GPbF Peak Diode R

 ..2. Size:953K  vishay
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IRFI614G

IRFI614G, SiHFI614G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) 250 Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; RDS(on) ( )VGS = 10 V 2.0 f = 60 Hz) RoHS* Qg (Max.) (nC) 8.2 COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Qgs (nC) 1.8 Dynamic dV/dt Rating Qgd (nC) 4.5 Low Thermal Resistance Configuration

 7.1. Size:209K  1
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IRFI614G

 8.1. Size:205K  1
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