Справочник MOSFET. IRFI614G

 

IRFI614G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRFI614G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 23 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8.2(max) nC
   trⓘ - Время нарастания: 7.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 42 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для IRFI614G

 

 

IRFI614G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:286K  international rectifier
 irfi614g.pdf

IRFI614G IRFI614G

PD - 95605IRFI614GPbF Lead-Free7/28/04Document Number: 91145 www.vishay.com1IRFI614GPbFDocument Number: 91145 www.vishay.com2IRFI614GPbFDocument Number: 91145 www.vishay.com3IRFI614GPbFDocument Number: 91145 www.vishay.com4IRFI614GPbFDocument Number: 91145 www.vishay.com5IRFI614GPbFDocument Number: 91145 www.vishay.com6IRFI614GPbFPeak Diode R

 ..2. Size:953K  vishay
 irfi614g sihfi614g.pdf

IRFI614G IRFI614G

IRFI614G, SiHFI614GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 250Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 10 V 2.0f = 60 Hz)RoHS*Qg (Max.) (nC) 8.2COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 1.8 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 4.5 Low Thermal ResistanceConfiguration

 7.1. Size:209K  1
 irfi614a irfw614a.pdf

IRFI614G IRFI614G

 8.1. Size:205K  1
 irfi610a irfw610a.pdf

IRFI614G IRFI614G

 8.2. Size:798K  fairchild semi
 irfw610b irfi610b.pdf

IRFI614G IRFI614G

November 2001IRFW610B / IRFI610B200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 3.3A, 200V, RDS(on) = 1.5 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 7.2 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.8 pF)This advanced technology has been especially tailored t

Другие MOSFET... IRFI5210 , IRFI530A , IRFI530N , IRFI540A , IRFI540N , IRFI550A , IRFI610A , IRFI614A , STF13NM60N , IRFI620A , IRFI620G , IRFI624A , IRFI624G , IRFI630A , IRFI630G , IRFI634A , IRFI634G .

 

 
Back to Top