Справочник MOSFET. IRFI614G

 

IRFI614G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFI614G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 23 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 7.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 42 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFI614G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:286K  international rectifier
 irfi614g.pdf pdf_icon

IRFI614G

PD - 95605IRFI614GPbF Lead-Free7/28/04Document Number: 91145 www.vishay.com1IRFI614GPbFDocument Number: 91145 www.vishay.com2IRFI614GPbFDocument Number: 91145 www.vishay.com3IRFI614GPbFDocument Number: 91145 www.vishay.com4IRFI614GPbFDocument Number: 91145 www.vishay.com5IRFI614GPbFDocument Number: 91145 www.vishay.com6IRFI614GPbFPeak Diode R

 ..2. Size:953K  vishay
 irfi614g sihfi614g.pdf pdf_icon

IRFI614G

IRFI614G, SiHFI614GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 250Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 10 V 2.0f = 60 Hz)RoHS*Qg (Max.) (nC) 8.2COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 1.8 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 4.5 Low Thermal ResistanceConfiguration

 7.1. Size:209K  1
 irfi614a irfw614a.pdf pdf_icon

IRFI614G

 8.1. Size:205K  1
 irfi610a irfw610a.pdf pdf_icon

IRFI614G

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFI5210 , IRFI530A , IRFI530N , IRFI540A , IRFI540N , IRFI550A , IRFI610A , IRFI614A , STF13NM60N , IRFI620A , IRFI620G , IRFI624A , IRFI624G , IRFI630A , IRFI630G , IRFI634A , IRFI634G .

History: IRLZ44NL | FDD86250 | 2SK278 | ELM16409EA | P0903BDL | IRLR8203PBF | IRLIZ24N

 

 
Back to Top

 


 
.