AP50PN520R Todos los transistores

 

AP50PN520R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP50PN520R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 138.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.52 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262
 

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AP50PN520R Datasheet (PDF)

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AP50PN520R

AP50PN520RHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 500VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 0.52 Simple Drive Requirement ID 12AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP50PN520 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowe

Otros transistores... AP50WN1K0H , AP50T10GS , AP50T10GP , AP50T10GJ , AP50T10GI , AP50T10GH , AP50T10AGI , AP50SL290DH , STP75NF75 , AP4P052J , AP4P052H , AP4P016P , AP4P016I , AP4P016H , AP4P013LES , AP4P013LEP , AP4P012LEH .

History: 2SK3593-01 | GP1M010A080N | AFP3403 | BUK768R3-60E | UT60N03G-TA3-T | RSS100N03FU6TB | NVMFD5875NL

 

 
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