Справочник MOSFET. AP50PN520R

 

AP50PN520R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP50PN520R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 138.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm
   Тип корпуса: TO262
 

 Аналог (замена) для AP50PN520R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP50PN520R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:164K  ape
 ap50pn520r.pdf pdf_icon

AP50PN520R

AP50PN520RHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 500VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 0.52 Simple Drive Requirement ID 12AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP50PN520 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowe

Другие MOSFET... AP50WN1K0H , AP50T10GS , AP50T10GP , AP50T10GJ , AP50T10GI , AP50T10GH , AP50T10AGI , AP50SL290DH , AON7408 , AP4P052J , AP4P052H , AP4P016P , AP4P016I , AP4P016H , AP4P013LES , AP4P013LEP , AP4P012LEH .

History: VS3625GPMC | AM2373P | MDV1595SURH | VBA3695

 

 
Back to Top

 


 
.