Справочник MOSFET. AP50PN520R

 

AP50PN520R MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AP50PN520R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 138.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm
   Тип корпуса: TO262

 Аналог (замена) для AP50PN520R

 

 

AP50PN520R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:164K  ape
 ap50pn520r.pdf

AP50PN520R AP50PN520R

AP50PN520RHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 500VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 0.52 Simple Drive Requirement ID 12AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP50PN520 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowe

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top