IRFI620A Todos los transistores

 

IRFI620A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFI620A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 47 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRFI620A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:210K  1
 irfi620a irfw620a.pdf pdf_icon

IRFI620A

 7.1. Size:289K  international rectifier
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IRFI620A

PD - 95606IRFI620GPbF Lead-Free7/29/04Document Number: 91146 www.vishay.com1IRFI620GPbFDocument Number: 91146 www.vishay.com2IRFI620GPbFDocument Number: 91146 www.vishay.com3IRFI620GPbFDocument Number: 91146 www.vishay.com4IRFI620GPbFDocument Number: 91146 www.vishay.com5IRFI620GPbFDocument Number: 91146 www.vishay.com6IRFI620GPbFPeak Diode R

 7.2. Size:1751K  vishay
 irfi620g sihfi620g.pdf pdf_icon

IRFI620A

IRFI620G, SiHFI620GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 200Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 10 V 0.80f = 60 Hz) RoHS*Qg (Max.) (nC) 14COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 3.0 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 7.9 Low Thermal ResistanceConfiguration S

 8.1. Size:216K  1
 irfi624a irfw624a.pdf pdf_icon

IRFI620A

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History: NCE6003M | TK65G10N1 | AP9465BGH | HFP8N70U | MTP20N20E | VBZA4953A | MTNK7S3

 

 
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