Справочник MOSFET. IRFI620A

 

IRFI620A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFI620A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 47 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: TO262
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFI620A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:210K  1
 irfi620a irfw620a.pdf pdf_icon

IRFI620A

 7.1. Size:289K  international rectifier
 irfi620g.pdf pdf_icon

IRFI620A

PD - 95606IRFI620GPbF Lead-Free7/29/04Document Number: 91146 www.vishay.com1IRFI620GPbFDocument Number: 91146 www.vishay.com2IRFI620GPbFDocument Number: 91146 www.vishay.com3IRFI620GPbFDocument Number: 91146 www.vishay.com4IRFI620GPbFDocument Number: 91146 www.vishay.com5IRFI620GPbFDocument Number: 91146 www.vishay.com6IRFI620GPbFPeak Diode R

 7.2. Size:1751K  vishay
 irfi620g sihfi620g.pdf pdf_icon

IRFI620A

IRFI620G, SiHFI620GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 200Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 10 V 0.80f = 60 Hz) RoHS*Qg (Max.) (nC) 14COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 3.0 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 7.9 Low Thermal ResistanceConfiguration S

 8.1. Size:216K  1
 irfi624a irfw624a.pdf pdf_icon

IRFI620A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFI530A , IRFI530N , IRFI540A , IRFI540N , IRFI550A , IRFI610A , IRFI614A , IRFI614G , IRF830 , IRFI620G , IRFI624A , IRFI624G , IRFI630A , IRFI630G , IRFI634A , IRFI634G , IRFI640A .

History: IRF520FI | NVMFS5C628N | 2SK3155 | NCEP026N10F | MC11N005 | SI7913DN | JCS5N50CT

 

 
Back to Top

 


 
.