IRFI620A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFI620A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 47 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm

Тип корпуса: TO262

Аналог (замена) для IRFI620A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFI620A даташит

 ..1. Size:210K  1
 irfi620a irfw620a.pdf pdf_icon

IRFI620A

 7.1. Size:289K  international rectifier
 irfi620g.pdf pdf_icon

IRFI620A

PD - 95606 IRFI620GPbF Lead-Free 7/29/04 Document Number 91146 www.vishay.com 1 IRFI620GPbF Document Number 91146 www.vishay.com 2 IRFI620GPbF Document Number 91146 www.vishay.com 3 IRFI620GPbF Document Number 91146 www.vishay.com 4 IRFI620GPbF Document Number 91146 www.vishay.com 5 IRFI620GPbF Document Number 91146 www.vishay.com 6 IRFI620GPbF Peak Diode R

 7.2. Size:1751K  vishay
 irfi620g sihfi620g.pdf pdf_icon

IRFI620A

IRFI620G, SiHFI620G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) 200 Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.80 f = 60 Hz) RoHS* Qg (Max.) (nC) 14 COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Qgs (nC) 3.0 Dynamic dV/dt Rating Qgd (nC) 7.9 Low Thermal Resistance Configuration S

 8.1. Size:216K  1
 irfi624a irfw624a.pdf pdf_icon

IRFI620A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFI530A, IRFI530N, IRFI540A, IRFI540N, IRFI550A, IRFI610A, IRFI614A, IRFI614G, 10N65, IRFI620G, IRFI624A, IRFI624G, IRFI630A, IRFI630G, IRFI634A, IRFI634G, IRFI640A