AP4N4R2H Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP4N4R2H  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 315 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0042 Ohm

Encapsulados: TO252

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AP4N4R2H datasheet

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AP4N4R2H

AP4N4R2H Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D 100% Rg & UIS Test D BVDSS 40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 4.2m Fast Switching Characteristic G G RoHS Compliant & Halogen-Free S S Description AP4604 series arefrom Advanced Power innovated design AP4N4R2 seriesare fromAdvanced Power innovated design G

Otros transistores... AP4P052J, AP4P052H, AP4P016P, AP4P016I, AP4P016H, AP4P013LES, AP4P013LEP, AP4P012LEH, IRLB4132, AP4N3R6P, AP4N3R6H, AP4N3R2MT, AP4N3R2I, AP4N2R6S, AP4N2R6P, AP4N2R6MT, AP4N2R6J