Справочник MOSFET. AP4N4R2H

 

AP4N4R2H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP4N4R2H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 315 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для AP4N4R2H

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4N4R2H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:105K  ape
 ap4n4r2h.pdf pdf_icon

AP4N4R2H

AP4N4R2HHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD 100% Rg & UIS Test D BVDSS 40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 4.2m Fast Switching CharacteristicGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series arefrom Advanced Power innovated designAP4N4R2 seriesare fromAdvanced Power innovated designG

Другие MOSFET... AP4P052J , AP4P052H , AP4P016P , AP4P016I , AP4P016H , AP4P013LES , AP4P013LEP , AP4P012LEH , 5N60 , AP4N3R6P , AP4N3R6H , AP4N3R2MT , AP4N3R2I , AP4N2R6S , AP4N2R6P , AP4N2R6MT , AP4N2R6J .

History: IRFS4228PBF | AFN1912

 

 
Back to Top

 


 
.