AP4N4R2H datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP4N4R2H  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 315 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP4N4R2H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4N4R2H даташит

 ..1. Size:105K  ape
 ap4n4r2h.pdf pdf_icon

AP4N4R2H

AP4N4R2H Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D 100% Rg & UIS Test D BVDSS 40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 4.2m Fast Switching Characteristic G G RoHS Compliant & Halogen-Free S S Description AP4604 series arefrom Advanced Power innovated design AP4N4R2 seriesare fromAdvanced Power innovated design G

Другие IGBT... AP4P052J, AP4P052H, AP4P016P, AP4P016I, AP4P016H, AP4P013LES, AP4P013LEP, AP4P012LEH, IRLB4132, AP4N3R6P, AP4N3R6H, AP4N3R2MT, AP4N3R2I, AP4N2R6S, AP4N2R6P, AP4N2R6MT, AP4N2R6J