AP4N1R1CDT-A Todos los transistores

 

AP4N1R1CDT-A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP4N1R1CDT-A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 64 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1330 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00115 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6
     - Selección de transistores por parámetros

 

AP4N1R1CDT-A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:137K  ape
 ap4n1r1cdt-a.pdf pdf_icon

AP4N1R1CDT-A

AP4N1R1CDT-AHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 45VD 100% Rg & UIS Test RDS(ON) 1.15m Ultra Low On-resistance ID4 265AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescription PDFN 5x6D D D DAP4N1R1C series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to a

 8.1. Size:163K  ape
 ap4n1r8cmt-a.pdf pdf_icon

AP4N1R1CDT-A

AP4N1R8CMT-AHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 45VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 1.8m Ultra Low On-resistance ID4 180AG RoHS Compliant & Halogen-FreeDSDDDescriptionDAP4N1R8C series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve

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History: IPZ40N04S5-3R1 | HFI640 | CS48N75 | 2SK2574 | PHP3055E | 2SK2084S | SQD50P03-07

 

 
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