Справочник MOSFET. AP4N1R1CDT-A

 

AP4N1R1CDT-A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP4N1R1CDT-A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 172 nC
   trⓘ - Время нарастания: 64 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1330 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00115 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4N1R1CDT-A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:137K  ape
 ap4n1r1cdt-a.pdf pdf_icon

AP4N1R1CDT-A

AP4N1R1CDT-AHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 45VD 100% Rg & UIS Test RDS(ON) 1.15m Ultra Low On-resistance ID4 265AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescription PDFN 5x6D D D DAP4N1R1C series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to a

 8.1. Size:163K  ape
 ap4n1r8cmt-a.pdf pdf_icon

AP4N1R1CDT-A

AP4N1R8CMT-AHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 45VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 1.8m Ultra Low On-resistance ID4 180AG RoHS Compliant & Halogen-FreeDSDDDescriptionDAP4N1R8C series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.