AP4N1R1CDT-A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: AP4N1R1CDT-A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 5 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 45 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 50.6 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 64 ns

Выходная емкость (Cd): 1330 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.00115 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6

Аналог (замена) для AP4N1R1CDT-A

 

BUY TRANSISTORS

 

 

AP4N1R1CDT-A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:137K  ape
 ap4n1r1cdt-a.pdf

AP4N1R1CDT-AHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 45VD 100% Rg & UIS Test RDS(ON) 1.15m Ultra Low On-resistance ID4 265AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescription PDFN 5x6D D D DAP4N1R1C series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to a

 8.1. Size:163K  ape
 ap4n1r8cmt-a.pdf

AP4N1R8CMT-AHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 45VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 1.8m Ultra Low On-resistance ID4 180AG RoHS Compliant & Halogen-FreeDSDDDescriptionDAP4N1R8C series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 18N50 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .