Справочник MOSFET. AP4N1R1CDT-A

 

AP4N1R1CDT-A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP4N1R1CDT-A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 64 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1330 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00115 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6
 

 Аналог (замена) для AP4N1R1CDT-A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4N1R1CDT-A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:137K  ape
 ap4n1r1cdt-a.pdf pdf_icon

AP4N1R1CDT-A

AP4N1R1CDT-AHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 45VD 100% Rg & UIS Test RDS(ON) 1.15m Ultra Low On-resistance ID4 265AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescription PDFN 5x6D D D DAP4N1R1C series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to a

 8.1. Size:163K  ape
 ap4n1r8cmt-a.pdf pdf_icon

AP4N1R1CDT-A

AP4N1R8CMT-AHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 45VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 1.8m Ultra Low On-resistance ID4 180AG RoHS Compliant & Halogen-FreeDSDDDescriptionDAP4N1R8C series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve

Другие MOSFET... AP4N3R2I , AP4N2R6S , AP4N2R6P , AP4N2R6MT , AP4N2R6J , AP4N2R6H , AP4N2R6AMT , AP4N1R8CMT-A , IRF530 , AP4820AGYT , AP4804MT , AP4800N2 , AP4618CDT , AP4610P , AP4608S , AP4608P , AP4606P .

History: VBE2102M | QM3018D | OSG80R380HF

 

 
Back to Top

 


 
.