IRFI624G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFI624G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 77 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.1 Ohm

Encapsulados: TO220F

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IRFI624G datasheet

 ..1. Size:287K  international rectifier
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IRFI624G

PD - 95607 IRFI624GPbF Lead-Free 7/29/04 Document Number 91147 www.vishay.com 1 IRFI624GPbF Document Number 91147 www.vishay.com 2 IRFI624GPbF Document Number 91147 www.vishay.com 3 IRFI624GPbF Document Number 91147 www.vishay.com 4 IRFI624GPbF Document Number 91147 www.vishay.com 5 IRFI624GPbF Document Number 91147 www.vishay.com 6 IRFI624GPbF Peak Diode R

 ..2. Size:910K  vishay
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IRFI624G

IRFI624G, SiHFI624G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) 250 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; Available RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.1 f = 60 Hz) RoHS* Qg (Max.) (nC) 14 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm COMPLIANT Qgs (nC) 2.7 Dynamic dV/dt Rating Qgd (nC) 7.8 Low Thermal Resistance Configuration Si

 7.1. Size:216K  1
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