IRFI624G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRFI624G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 14(max) nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 77 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFI624G

IRFI624G Datasheet (PDF)

..1. Size:287K international rectifier
irfi624g.pdf

PD - 95607IRFI624GPbF Lead-Free7/29/04Document Number: 91147 www.vishay.com1IRFI624GPbFDocument Number: 91147 www.vishay.com2IRFI624GPbFDocument Number: 91147 www.vishay.com3IRFI624GPbFDocument Number: 91147 www.vishay.com4IRFI624GPbFDocument Number: 91147 www.vishay.com5IRFI624GPbFDocument Number: 91147 www.vishay.com6IRFI624GPbFPeak Diode R

..2. Size:910K vishay
irfi624gpbf.pdf

IRFI624G, SiHFI624GVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 250 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 1.1f = 60 Hz)RoHS*Qg (Max.) (nC) 14 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmCOMPLIANTQgs (nC) 2.7 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 7.8 Low Thermal ResistanceConfiguration Si

7.1. Size:216K 1
irfi624a irfw624a.pdf

8.1. Size:210K 1
irfi620a irfw620a.pdf

8.2. Size:289K international rectifier
irfi620g.pdf

PD - 95606IRFI620GPbF Lead-Free7/29/04Document Number: 91146 www.vishay.com1IRFI620GPbFDocument Number: 91146 www.vishay.com2IRFI620GPbFDocument Number: 91146 www.vishay.com3IRFI620GPbFDocument Number: 91146 www.vishay.com4IRFI620GPbFDocument Number: 91146 www.vishay.com5IRFI620GPbFDocument Number: 91146 www.vishay.com6IRFI620GPbFPeak Diode R

8.3. Size:1751K vishay
irfi620g sihfi620g.pdf

IRFI620G, SiHFI620GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 200Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 10 V 0.80f = 60 Hz) RoHS*Qg (Max.) (nC) 14COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 3.0 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 7.9 Low Thermal ResistanceConfiguration S

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Liste

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