IRFI624G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFI624G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 77 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для IRFI624G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFI624G даташит

 ..1. Size:287K  international rectifier
 irfi624g.pdf pdf_icon

IRFI624G

PD - 95607 IRFI624GPbF Lead-Free 7/29/04 Document Number 91147 www.vishay.com 1 IRFI624GPbF Document Number 91147 www.vishay.com 2 IRFI624GPbF Document Number 91147 www.vishay.com 3 IRFI624GPbF Document Number 91147 www.vishay.com 4 IRFI624GPbF Document Number 91147 www.vishay.com 5 IRFI624GPbF Document Number 91147 www.vishay.com 6 IRFI624GPbF Peak Diode R

 ..2. Size:910K  vishay
 irfi624gpbf.pdf pdf_icon

IRFI624G

IRFI624G, SiHFI624G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) 250 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; Available RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.1 f = 60 Hz) RoHS* Qg (Max.) (nC) 14 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm COMPLIANT Qgs (nC) 2.7 Dynamic dV/dt Rating Qgd (nC) 7.8 Low Thermal Resistance Configuration Si

 7.1. Size:216K  1
 irfi624a irfw624a.pdf pdf_icon

IRFI624G

 8.1. Size:210K  1
 irfi620a irfw620a.pdf pdf_icon

IRFI624G

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFI540N, IRFI550A, IRFI610A, IRFI614A, IRFI614G, IRFI620A, IRFI620G, IRFI624A, SI2302, IRFI630A, IRFI630G, IRFI634A, IRFI634G, IRFI640A, IRFI640G, IRFI644A, IRFI644G