Справочник MOSFET. IRFI624G

 

IRFI624G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFI624G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 14(max) nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 77 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для IRFI624G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFI624G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:287K  international rectifier
 irfi624g.pdf pdf_icon

IRFI624G

PD - 95607IRFI624GPbF Lead-Free7/29/04Document Number: 91147 www.vishay.com1IRFI624GPbFDocument Number: 91147 www.vishay.com2IRFI624GPbFDocument Number: 91147 www.vishay.com3IRFI624GPbFDocument Number: 91147 www.vishay.com4IRFI624GPbFDocument Number: 91147 www.vishay.com5IRFI624GPbFDocument Number: 91147 www.vishay.com6IRFI624GPbFPeak Diode R

 ..2. Size:910K  vishay
 irfi624gpbf.pdf pdf_icon

IRFI624G

IRFI624G, SiHFI624GVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 250 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 1.1f = 60 Hz)RoHS*Qg (Max.) (nC) 14 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmCOMPLIANTQgs (nC) 2.7 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 7.8 Low Thermal ResistanceConfiguration Si

 7.1. Size:216K  1
 irfi624a irfw624a.pdf pdf_icon

IRFI624G

 8.1. Size:210K  1
 irfi620a irfw620a.pdf pdf_icon

IRFI624G

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFI540N , IRFI550A , IRFI610A , IRFI614A , IRFI614G , IRFI620A , IRFI620G , IRFI624A , IRFZ46N , IRFI630A , IRFI630G , IRFI634A , IRFI634G , IRFI640A , IRFI640G , IRFI644A , IRFI644G .

 

 
Back to Top

 


 
.