IRFI630G Todos los transistores

 

IRFI630G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFI630G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 43(max) nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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IRFI630G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:927K  international rectifier
 irfi630g.pdf pdf_icon

IRFI630G

PD - 94846IRFI630GPbF Lead-Free11/14/03Document Number: 91148 www.vishay.com1IRFI630GPbFDocument Number: 91148 www.vishay.com2IRFI630GPbFDocument Number: 91148 www.vishay.com3IRFI630GPbFDocument Number: 91148 www.vishay.com4IRFI630GPbFDocument Number: 91148 www.vishay.com5IRFI630GPbFDocument Number: 91148 www.vishay.com6IRFI630GPbFTO-220 Full

 ..2. Size:1541K  vishay
 irfi630g sihfi630g.pdf pdf_icon

IRFI630G

IRFI630G, SiHFI630GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 200 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.40f = 60 Hz)RoHS*Qg (Max.) (nC) 43COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 7.0 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 23 Low Thermal ResistanceConfiguration S

 7.1. Size:215K  1
 irfi630a irfw630a.pdf pdf_icon

IRFI630G

 7.2. Size:712K  fairchild semi
 irfw630b irfi630b.pdf pdf_icon

IRFI630G

IRFW630B / IRFI630B200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 9.0A, 200V, RDS(on) = 0.4 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 22 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 22 pF)This advanced technology has been especially tailored to Fast switc

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