IRFI630G MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

IRFI630G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFI630G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm

Encapsulados: TO220F

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IRFI630G datasheet

..1. Size:927K international rectifier
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PD - 94846 IRFI630GPbF Lead-Free 11/14/03 Document Number 91148 www.vishay.com 1 IRFI630GPbF Document Number 91148 www.vishay.com 2 IRFI630GPbF Document Number 91148 www.vishay.com 3 IRFI630GPbF Document Number 91148 www.vishay.com 4 IRFI630GPbF Document Number 91148 www.vishay.com 5 IRFI630GPbF Document Number 91148 www.vishay.com 6 IRFI630GPbF TO-220 Full

..2. Size:1541K vishay
irfi630g sihfi630g.pdf pdf_icon

IRFI630G, SiHFI630G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) 200 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; Available RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.40 f = 60 Hz) RoHS* Qg (Max.) (nC) 43 COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Qgs (nC) 7.0 Dynamic dV/dt Rating Qgd (nC) 23 Low Thermal Resistance Configuration S

7.1. Size:215K 1
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7.2. Size:712K fairchild semi
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IRFW630B / IRFI630B 200V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 9.0A, 200V, RDS(on) = 0.4 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 22 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 22 pF) This advanced technology has been especially tailored to Fast switc

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