Справочник MOSFET. IRFI630G

 

IRFI630G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRFI630G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 43(max) nC
   trⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для IRFI630G

 

 

IRFI630G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:927K  international rectifier
 irfi630g.pdf

IRFI630G IRFI630G

PD - 94846IRFI630GPbF Lead-Free11/14/03Document Number: 91148 www.vishay.com1IRFI630GPbFDocument Number: 91148 www.vishay.com2IRFI630GPbFDocument Number: 91148 www.vishay.com3IRFI630GPbFDocument Number: 91148 www.vishay.com4IRFI630GPbFDocument Number: 91148 www.vishay.com5IRFI630GPbFDocument Number: 91148 www.vishay.com6IRFI630GPbFTO-220 Full

 ..2. Size:1541K  vishay
 irfi630g sihfi630g.pdf

IRFI630G IRFI630G

IRFI630G, SiHFI630GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 200 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.40f = 60 Hz)RoHS*Qg (Max.) (nC) 43COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 7.0 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 23 Low Thermal ResistanceConfiguration S

 7.1. Size:215K  1
 irfi630a irfw630a.pdf

IRFI630G IRFI630G

 7.2. Size:712K  fairchild semi
 irfw630b irfi630b.pdf

IRFI630G IRFI630G

IRFW630B / IRFI630B200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 9.0A, 200V, RDS(on) = 0.4 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 22 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 22 pF)This advanced technology has been especially tailored to Fast switc

 8.1. Size:214K  1
 irfi634a irfw634a.pdf

IRFI630G IRFI630G

 8.2. Size:283K  international rectifier
 irfi634g.pdf

IRFI630G IRFI630G

PD - 95608IRFI634GPbF Lead-Free7/29/04Document Number: 91149 www.vishay.com1IRFI634GPbFDocument Number: 91149 www.vishay.com2IRFI634GPbFDocument Number: 91149 www.vishay.com3IRFI634GPbFDocument Number: 91149 www.vishay.com4IRFI634GPbFDocument Number: 91149 www.vishay.com5IRFI634GPbFDocument Number: 91149 www.vishay.com6IRFI634GPbFTO-220 Full-

 8.3. Size:1106K  vishay
 irfi634g sihfi634g.pdf

IRFI630G IRFI630G

IRFI634G, SiHFI634GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 250 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.45f = 60 Hz)RoHS*Qg (Max.) (nC) 41 COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 6.5 Dynamic dV/dt Rating Low Thermal ResistanceQgd (nC) 22 Lead (Pb)-fre

Другие MOSFET... IRFI610A , IRFI614A , IRFI614G , IRFI620A , IRFI620G , IRFI624A , IRFI624G , IRFI630A , IRFB31N20D , IRFI634A , IRFI634G , IRFI640A , IRFI640G , IRFI644A , IRFI644G , IRFI710A , IRFI720A .

 

 
Back to Top