AP3P2R2CDT Todos los transistores

 

AP3P2R2CDT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP3P2R2CDT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 39.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0022 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6
 

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AP3P2R2CDT Datasheet (PDF)

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AP3P2R2CDT

AP3P2R2CDTHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30VD 100% Rg & UIS Test RDS(ON) 2.2m Ultra Low On-resistance ID4 -205AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionPDFN 5x6AP3P2R2 series are from Advanced Power innovated design D D D Dand silicon process technology to ach

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History: NCE85H21C | HTD2K4P15T | NTJS4405NT1 | SHD225628

 

 
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