AP3P2R2CDT Todos los transistores

AP3P2R2CDT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP3P2R2CDT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 39.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0022 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros