AP3P2R2CDT - аналоги и даташиты транзистора

 

AP3P2R2CDT - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP3P2R2CDT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 39.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0022 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6
 

 Аналог (замена) для AP3P2R2CDT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP3P2R2CDT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:137K  ape
 ap3p2r2cdt.pdf pdf_icon

AP3P2R2CDT

AP3P2R2CDTHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30VD 100% Rg & UIS Test RDS(ON) 2.2m Ultra Low On-resistance ID4 -205AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionPDFN 5x6AP3P2R2 series are from Advanced Power innovated design D D D Dand silicon process technology to ach

Другие MOSFET... AP4024EYT , AP4024EJB , AP4024EH , AP3R604GMT-L , AP3R303GMT-L , AP3R303GMT , AP3P9R0I , AP3N1R7CYT , IRF830 , AP3NR68CDT , AP2604CDT , AP3P010YT , AP3N018EYT , AP3C030YT , AP3800YT , AP3700YT , AP2P9R0LYT .

 

 
Back to Top

 


 
.