AP3P2R2CDT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP3P2R2CDT  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 39.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0022 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP3P2R2CDT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP3P2R2CDT даташит

 ..1. Size:137K  ape
 ap3p2r2cdt.pdf pdf_icon

AP3P2R2CDT

AP3P2R2CDT Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30V D 100% Rg & UIS Test RDS(ON) 2.2m Ultra Low On-resistance ID4 -205A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description PDFN 5x6 AP3P2R2 series are from Advanced Power innovated design D D D D and silicon process technology to ach

Другие IGBT... AP4024EYT, AP4024EJB, AP4024EH, AP3R604GMT-L, AP3R303GMT-L, AP3R303GMT, AP3P9R0I, AP3N1R7CYT, 7N60, AP3NR68CDT, AP2604CDT, AP3P010YT, AP3N018EYT, AP3C030YT, AP3800YT, AP3700YT, AP2P9R0LYT