AP2P9R0LYT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP2P9R0LYT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.12 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15.4 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 700 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
Paquete / Cubierta: PMPAK3X3
Búsqueda de reemplazo de MOSFET AP2P9R0LYT
AP2P9R0LYT Datasheet (PDF)
ap2p9r0lyt.pdf
AP2P9R0LYTHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS -20VD Small Size & Lower Profile RDS(ON) 9m RoHS Compliant & Halogen-Free ID -15.4AGSDDDescriptionDAP2P9R0L series are from Advanced Power innovated design andDsilicon process technology to achieve the lowest possible o
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History: 2SK3634-Z
History: 2SK3634-Z
Liste
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