AP2P9R0LYT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP2P9R0LYT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.12 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15.4 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 700 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
Encapsulados: PMPAK3X3
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AP2P9R0LYT datasheet
ap2p9r0lyt.pdf
AP2P9R0LYT Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS -20V D Small Size & Lower Profile RDS(ON) 9m RoHS Compliant & Halogen-Free ID -15.4A G S D D Description D AP2P9R0L series are from Advanced Power innovated design and D silicon process technology to achieve the lowest possible o
Otros transistores... AP3P2R2CDT , AP3NR68CDT , AP2604CDT , AP3P010YT , AP3N018EYT , AP3C030YT , AP3800YT , AP3700YT , K2611 , AP2N3R7LYT , AP2609GYT , AP15TP1R0YT , AP10TN028YT , AP0903GYT , AP3P7R0EMT , AP3P3R0MT , AP3P010AMT .
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