AP2P9R0LYT Todos los transistores

 

AP2P9R0LYT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP2P9R0LYT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.12 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15.4 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 700 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: PMPAK3X3
     - Selección de transistores por parámetros

 

AP2P9R0LYT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:64K  ape
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AP2P9R0LYT

AP2P9R0LYTHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS -20VD Small Size & Lower Profile RDS(ON) 9m RoHS Compliant & Halogen-Free ID -15.4AGSDDDescriptionDAP2P9R0L series are from Advanced Power innovated design andDsilicon process technology to achieve the lowest possible o

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History: 2SK1058 | HITJ0203MP | SPP80P06PH | IRFPC42R | FDB9403-F085 | SIHF9540S | CS4N80F

 

 
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