AP2P9R0LYT Todos los transistores

 

AP2P9R0LYT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP2P9R0LYT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.12 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15.4 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 700 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: PMPAK3X3
 

 Búsqueda de reemplazo de AP2P9R0LYT MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AP2P9R0LYT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:64K  ape
 ap2p9r0lyt.pdf pdf_icon

AP2P9R0LYT

AP2P9R0LYTHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS -20VD Small Size & Lower Profile RDS(ON) 9m RoHS Compliant & Halogen-Free ID -15.4AGSDDDescriptionDAP2P9R0L series are from Advanced Power innovated design andDsilicon process technology to achieve the lowest possible o

Otros transistores... AP3P2R2CDT , AP3NR68CDT , AP2604CDT , AP3P010YT , AP3N018EYT , AP3C030YT , AP3800YT , AP3700YT , IRF9640 , AP2N3R7LYT , AP2609GYT , AP15TP1R0YT , AP10TN028YT , AP0903GYT , AP3P7R0EMT , AP3P3R0MT , AP3P010AMT .

History: DMP3098L | CEP840L

 

 
Back to Top

 


 
.