AP2P9R0LYT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: AP2P9R0LYT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.12 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15.4 A
   trⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 700 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: PMPAK3X3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам