Справочник MOSFET. AP2P9R0LYT

 

AP2P9R0LYT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP2P9R0LYT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.12 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15.4 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 700 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: PMPAK3X3
 

 Аналог (замена) для AP2P9R0LYT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2P9R0LYT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:64K  ape
 ap2p9r0lyt.pdf pdf_icon

AP2P9R0LYT

AP2P9R0LYTHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS -20VD Small Size & Lower Profile RDS(ON) 9m RoHS Compliant & Halogen-Free ID -15.4AGSDDDescriptionDAP2P9R0L series are from Advanced Power innovated design andDsilicon process technology to achieve the lowest possible o

Другие MOSFET... AP3P2R2CDT , AP3NR68CDT , AP2604CDT , AP3P010YT , AP3N018EYT , AP3C030YT , AP3800YT , AP3700YT , IRF9640 , AP2N3R7LYT , AP2609GYT , AP15TP1R0YT , AP10TN028YT , AP0903GYT , AP3P7R0EMT , AP3P3R0MT , AP3P010AMT .

History: 2SK1215F | OSG60R022HT3ZF | 2SK2793 | BF1208D | CJAC10TH10 | TPM8205ATS6 | IRFI840GLCPBF

 

 
Back to Top

 


 
.