AP2P9R0LYT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP2P9R0LYT  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.12 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15.4 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 700 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: PMPAK3X3

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP2P9R0LYT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2P9R0LYT даташит

 ..1. Size:64K  ape
 ap2p9r0lyt.pdf pdf_icon

AP2P9R0LYT

AP2P9R0LYT Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS -20V D Small Size & Lower Profile RDS(ON) 9m RoHS Compliant & Halogen-Free ID -15.4A G S D D Description D AP2P9R0L series are from Advanced Power innovated design and D silicon process technology to achieve the lowest possible o

Другие IGBT... AP3P2R2CDT, AP3NR68CDT, AP2604CDT, AP3P010YT, AP3N018EYT, AP3C030YT, AP3800YT, AP3700YT, K2611, AP2N3R7LYT, AP2609GYT, AP15TP1R0YT, AP10TN028YT, AP0903GYT, AP3P7R0EMT, AP3P3R0MT, AP3P010AMT