AP3P3R0MT Todos los transistores

 

AP3P3R0MT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP3P3R0MT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 33.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1230 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
   Paquete / Cubierta: PMPAK5X6
 

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AP3P3R0MT Datasheet (PDF)

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AP3P3R0MT

AP3P3R0MTHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS -30VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 3m Ultra Low On-resistance ID4 -125AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDDescriptionDDAP3P3R0 series are from Advanced Power innovated design and siliconDprocess technology to achieve the

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AP3P3R0MT

AP3P3R0MTHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS -30VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 3m Ultra Low On-resistance ID4 -125AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDDescriptionDDAP3P3R0 series are from Advanced Power innovated design and siliconDprocess technology to achieve the

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History: CHT84VGP | HAT1069C | KRF7309 | 4N80G-TN3-R | BLP05N08G-P | FQB9N50TM | DH026N06E

 

 
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