AP3P3R0MT Todos los transistores

 

AP3P3R0MT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP3P3R0MT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 33.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1230 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
   Paquete / Cubierta: PMPAK5X6
 

 Búsqueda de reemplazo de AP3P3R0MT MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AP3P3R0MT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:69K  1
 ap3p3r0mt.pdf pdf_icon

AP3P3R0MT

AP3P3R0MTHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS -30VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 3m Ultra Low On-resistance ID4 -125AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDDescriptionDDAP3P3R0 series are from Advanced Power innovated design and siliconDprocess technology to achieve the

 ..2. Size:164K  ape
 ap3p3r0mt.pdf pdf_icon

AP3P3R0MT

AP3P3R0MTHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS -30VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 3m Ultra Low On-resistance ID4 -125AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDDescriptionDDAP3P3R0 series are from Advanced Power innovated design and siliconDprocess technology to achieve the

Otros transistores... AP3700YT , AP2P9R0LYT , AP2N3R7LYT , AP2609GYT , AP15TP1R0YT , AP10TN028YT , AP0903GYT , AP3P7R0EMT , 5N50 , AP3P010AMT , AP3NR85CMT , AP3N7R2MT , AP3N3R3MT , AP3N2R8MT , AP3N2R4MT , AP3N2R2MT , AP3N1R8MT-L .

 

 
Back to Top

 


 
.