AP3P3R0MT Todos los transistores

 

AP3P3R0MT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP3P3R0MT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 33.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1230 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm

Encapsulados: PMPAK5X6

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AP3P3R0MT datasheet

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AP3P3R0MT

AP3P3R0MT Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS -30V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 3m Ultra Low On-resistance ID4 -125A G RoHS Compliant & Halogen-Free S D Description D D AP3P3R0 series are from Advanced Power innovated design and silicon D process technology to achieve the

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AP3P3R0MT

AP3P3R0MT Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS -30V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 3m Ultra Low On-resistance ID4 -125A G RoHS Compliant & Halogen-Free S D Description D D AP3P3R0 series are from Advanced Power innovated design and silicon D process technology to achieve the

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History: APT50M75LLLG

 

 

 

 

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