Справочник MOSFET. AP3P3R0MT

 

AP3P3R0MT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP3P3R0MT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1230 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
   Тип корпуса: PMPAK5X6
 

 Аналог (замена) для AP3P3R0MT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP3P3R0MT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:69K  1
 ap3p3r0mt.pdf pdf_icon

AP3P3R0MT

AP3P3R0MTHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS -30VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 3m Ultra Low On-resistance ID4 -125AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDDescriptionDDAP3P3R0 series are from Advanced Power innovated design and siliconDprocess technology to achieve the

 ..2. Size:164K  ape
 ap3p3r0mt.pdf pdf_icon

AP3P3R0MT

AP3P3R0MTHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS -30VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 3m Ultra Low On-resistance ID4 -125AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDDescriptionDDAP3P3R0 series are from Advanced Power innovated design and siliconDprocess technology to achieve the

Другие MOSFET... AP3700YT , AP2P9R0LYT , AP2N3R7LYT , AP2609GYT , AP15TP1R0YT , AP10TN028YT , AP0903GYT , AP3P7R0EMT , 5N50 , AP3P010AMT , AP3NR85CMT , AP3N7R2MT , AP3N3R3MT , AP3N2R8MT , AP3N2R4MT , AP3N2R2MT , AP3N1R8MT-L .

History: HM2807 | AP6N3R5LI | IPD90N06S4-05 | AONR34332C | AUIRF8736M2TR | MTP4835Q8

 

 
Back to Top

 


 
.