AP3NR85CMT Todos los transistores

 

AP3NR85CMT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP3NR85CMT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00085 Ohm
   Paquete / Cubierta: PMPAK5X6
 

 Búsqueda de reemplazo de AP3NR85CMT MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AP3NR85CMT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:163K  ape
 ap3nr85cmt.pdf pdf_icon

AP3NR85CMT

AP3NR85CMTHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 30VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.85m Ultra Low On-resistance ID4 100AG RoHS Compliant & Halogen-FreeDSDDDescriptionDAP3NR85C series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve t

 9.1. Size:137K  ape
 ap3nr68cdt.pdf pdf_icon

AP3NR85CMT

AP3NR68CDTHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30VD 100% Rg & UIS Test RDS(ON) 0.68m Ultra Low On-resistanceG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescription PDFN 5x6D D D DAP3NR68C series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to achieve the

Otros transistores... AP2N3R7LYT , AP2609GYT , AP15TP1R0YT , AP10TN028YT , AP0903GYT , AP3P7R0EMT , AP3P3R0MT , AP3P010AMT , BS170 , AP3N7R2MT , AP3N3R3MT , AP3N2R8MT , AP3N2R4MT , AP3N2R2MT , AP3N1R8MT-L , AP3N1R8MT , AP3N1R7MT .

History: IPB70N04S4-06 | IRC644PBF | NCE0117 | IXTT30N60P | STF16N50M2 | 2SJ103 | ZXMN6A08KTC

 

 
Back to Top

 


 
.