AP3NR85CMT Todos los transistores

 

AP3NR85CMT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP3NR85CMT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1300 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00085 Ohm

Encapsulados: PMPAK5X6

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AP3NR85CMT datasheet

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AP3NR85CMT

AP3NR85CMT Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 30V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.85m Ultra Low On-resistance ID4 100A G RoHS Compliant & Halogen-Free D S D D Description D AP3NR85C series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve t

 9.1. Size:137K  ape
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AP3NR85CMT

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History: 2SK2237 | H6N70D

 

 

 

 

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