AP3NR85CMT - описание и поиск аналогов

 

AP3NR85CMT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP3NR85CMT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00085 Ohm

Тип корпуса: PMPAK5X6

Аналог (замена) для AP3NR85CMT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP3NR85CMT даташит

 ..1. Size:163K  ape
 ap3nr85cmt.pdf pdf_icon

AP3NR85CMT

AP3NR85CMT Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 30V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.85m Ultra Low On-resistance ID4 100A G RoHS Compliant & Halogen-Free D S D D Description D AP3NR85C series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve t

 9.1. Size:137K  ape
 ap3nr68cdt.pdf pdf_icon

AP3NR85CMT

AP3NR68CDT Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30V D 100% Rg & UIS Test RDS(ON) 0.68m Ultra Low On-resistance G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description PDFN 5x6 D D D D AP3NR68C series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the

Другие MOSFET... AP2N3R7LYT , AP2609GYT , AP15TP1R0YT , AP10TN028YT , AP0903GYT , AP3P7R0EMT , AP3P3R0MT , AP3P010AMT , IRF730 , AP3N7R2MT , AP3N3R3MT , AP3N2R8MT , AP3N2R4MT , AP3N2R2MT , AP3N1R8MT-L , AP3N1R8MT , AP3N1R7MT .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.