Справочник MOSFET. AP3NR85CMT

 

AP3NR85CMT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP3NR85CMT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00085 Ohm
   Тип корпуса: PMPAK5X6
 

 Аналог (замена) для AP3NR85CMT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP3NR85CMT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:163K  ape
 ap3nr85cmt.pdf pdf_icon

AP3NR85CMT

AP3NR85CMTHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 30VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.85m Ultra Low On-resistance ID4 100AG RoHS Compliant & Halogen-FreeDSDDDescriptionDAP3NR85C series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve t

 9.1. Size:137K  ape
 ap3nr68cdt.pdf pdf_icon

AP3NR85CMT

AP3NR68CDTHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30VD 100% Rg & UIS Test RDS(ON) 0.68m Ultra Low On-resistanceG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescription PDFN 5x6D D D DAP3NR68C series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to achieve the

Другие MOSFET... AP2N3R7LYT , AP2609GYT , AP15TP1R0YT , AP10TN028YT , AP0903GYT , AP3P7R0EMT , AP3P3R0MT , AP3P010AMT , BS170 , AP3N7R2MT , AP3N3R3MT , AP3N2R8MT , AP3N2R4MT , AP3N2R2MT , AP3N1R8MT-L , AP3N1R8MT , AP3N1R7MT .

History: IXTA90N15T | SI8441DB | BUK653R4-40C | DMN2016LFG

 

 
Back to Top

 


 
.