IRFI634G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFI634G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.45 Ohm

Encapsulados: TO220F

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IRFI634G datasheet

 ..1. Size:283K  international rectifier
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IRFI634G

PD - 95608 IRFI634GPbF Lead-Free 7/29/04 Document Number 91149 www.vishay.com 1 IRFI634GPbF Document Number 91149 www.vishay.com 2 IRFI634GPbF Document Number 91149 www.vishay.com 3 IRFI634GPbF Document Number 91149 www.vishay.com 4 IRFI634GPbF Document Number 91149 www.vishay.com 5 IRFI634GPbF Document Number 91149 www.vishay.com 6 IRFI634GPbF TO-220 Full-

 ..2. Size:1106K  vishay
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IRFI634G

IRFI634G, SiHFI634G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) 250 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; Available RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.45 f = 60 Hz) RoHS* Qg (Max.) (nC) 41 COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Qgs (nC) 6.5 Dynamic dV/dt Rating Low Thermal Resistance Qgd (nC) 22 Lead (Pb)-fre

 7.1. Size:214K  1
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