AP3N3R3MT Todos los transistores

 

AP3N3R3MT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP3N3R3MT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 475 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0033 Ohm

Encapsulados: PMPAK5X6

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AP3N3R3MT datasheet

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AP3N3R3MT

AP3N3R3MT Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL MOSFET WITH SCHOTTKY Electronics Corp. DIODE 100% Rg & UIS Test BVDSS 30V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 3.3m Ultra Low On-resistance D G RoHS Compliant & Halogen-Free D D S D Description AP3N3R3 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest possi

 6.1. Size:63K  ape
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AP3N3R3MT

AP3N3R3M Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower On-resistance BVDSS 30V D D Simple Drive Requirement D RDS(ON) 3.3m D Fast Switching Characteristic ID3 21.3A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D AP3N3R3 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technolog

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History: DMP56D0UFB | UPA1727G

 

 

 

 

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