AP3N3R3MT - описание и поиск аналогов

 

AP3N3R3MT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP3N3R3MT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 475 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0033 Ohm

Тип корпуса: PMPAK5X6

Аналог (замена) для AP3N3R3MT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP3N3R3MT даташит

 ..1. Size:161K  ape
 ap3n3r3mt.pdf pdf_icon

AP3N3R3MT

AP3N3R3MT Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL MOSFET WITH SCHOTTKY Electronics Corp. DIODE 100% Rg & UIS Test BVDSS 30V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 3.3m Ultra Low On-resistance D G RoHS Compliant & Halogen-Free D D S D Description AP3N3R3 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest possi

 6.1. Size:63K  ape
 ap3n3r3m.pdf pdf_icon

AP3N3R3MT

AP3N3R3M Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower On-resistance BVDSS 30V D D Simple Drive Requirement D RDS(ON) 3.3m D Fast Switching Characteristic ID3 21.3A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D AP3N3R3 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technolog

Другие MOSFET... AP15TP1R0YT , AP10TN028YT , AP0903GYT , AP3P7R0EMT , AP3P3R0MT , AP3P010AMT , AP3NR85CMT , AP3N7R2MT , IRF3205 , AP3N2R8MT , AP3N2R4MT , AP3N2R2MT , AP3N1R8MT-L , AP3N1R8MT , AP3N1R7MT , AP3N1R0MT , AP3D5R0MT .

History: MS3N80 | H5N50U

 

 

 

 

↑ Back to Top
.