AP3D5R0MT Todos los transistores

 

AP3D5R0MT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP3D5R0MT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.13 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0115 Ohm

Encapsulados: PMPAK5X6

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AP3D5R0MT datasheet

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AP3D5R0MT

AP3D5R0MT Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET D1 Simple Drive Requirement CH-1 BVDSS 30V Easy for Synchronous Buck RDS(ON) 11.5m G1 Converter Application CH-2 BVDSS 30V D2/S1 RoHS Compliant & Halogen-Free RDS(ON) 5m G2 Description S2 Advanced Power MOSFETs from APEC provide G2 G2 S2 S2 S2 the designe

Otros transistores... AP3N3R3MT , AP3N2R8MT , AP3N2R4MT , AP3N2R2MT , AP3N1R8MT-L , AP3N1R8MT , AP3N1R7MT , AP3N1R0MT , IRFZ44 , AP3C023AMT , AP3A010MT , AP3A010AMT , AP3700MT , AP2C016LMT , AP2606CMT , AP2602MT , AP1A003GMT .

History: APT5014B2VFRG | SI3812DV | WSP6064

 

 

 

 

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