AP3D5R0MT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AP3D5R0MT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.13 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0115 Ohm
   Paquete / Cubierta: PMPAK5X6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AP3D5R0MT

AP3D5R0MT Datasheet (PDF)

..1. Size:131K ape
ap3d5r0mt.pdf

AP3D5R0MTHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD1 Simple Drive Requirement CH-1 BVDSS 30V Easy for Synchronous Buck RDS(ON) 11.5mG1Converter Application CH-2 BVDSS 30VD2/S1 RoHS Compliant & Halogen-Free RDS(ON) 5mG2DescriptionS2Advanced Power MOSFETs from APEC provideG2G2 S2 S2 S2the designe

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: