Справочник MOSFET. AP3D5R0MT

 

AP3D5R0MT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP3D5R0MT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.13 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0115 Ohm
   Тип корпуса: PMPAK5X6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP3D5R0MT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:131K  ape
 ap3d5r0mt.pdf pdf_icon

AP3D5R0MT

AP3D5R0MTHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD1 Simple Drive Requirement CH-1 BVDSS 30V Easy for Synchronous Buck RDS(ON) 11.5mG1Converter Application CH-2 BVDSS 30VD2/S1 RoHS Compliant & Halogen-Free RDS(ON) 5mG2DescriptionS2Advanced Power MOSFETs from APEC provideG2G2 S2 S2 S2the designe

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: IRLR3714Z | IPU60R1K0CE

 

 
Back to Top

 


 
.