Справочник MOSFET. AP3D5R0MT

 

AP3D5R0MT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP3D5R0MT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.13 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0115 Ohm
   Тип корпуса: PMPAK5X6
 

 Аналог (замена) для AP3D5R0MT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP3D5R0MT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:131K  ape
 ap3d5r0mt.pdf pdf_icon

AP3D5R0MT

AP3D5R0MTHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD1 Simple Drive Requirement CH-1 BVDSS 30V Easy for Synchronous Buck RDS(ON) 11.5mG1Converter Application CH-2 BVDSS 30VD2/S1 RoHS Compliant & Halogen-Free RDS(ON) 5mG2DescriptionS2Advanced Power MOSFETs from APEC provideG2G2 S2 S2 S2the designe

Другие MOSFET... AP3N3R3MT , AP3N2R8MT , AP3N2R4MT , AP3N2R2MT , AP3N1R8MT-L , AP3N1R8MT , AP3N1R7MT , AP3N1R0MT , IRFZ44 , AP3C023AMT , AP3A010MT , AP3A010AMT , AP3700MT , AP2C016LMT , AP2606CMT , AP2602MT , AP1A003GMT .

History: BSZ0501NSI | JMSH0805PK

 

 
Back to Top

 


 
.