AP1A003GMT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP1A003GMT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 52 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1070 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0012 Ohm
Paquete / Cubierta: PMPAK5X6
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AP1A003GMT Datasheet (PDF)
ap1a003gmt.pdf

AP1A003GMT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30VD SO-8 Compatible with Heatsink RDS(ON) 1.2m Low On-resistance ID 235AG RoHS Compliant & Halogen-FreeDSDDDescriptionDAP1A003 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achi
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History: JBL102T | SI4196DY | PJP4NA90
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