AP1A003GMT. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: AP1A003GMT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1070 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0012 Ohm
Тип корпуса: PMPAK5X6
Аналог (замена) для AP1A003GMT
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AP1A003GMT даташит
ap1a003gmt.pdf
AP1A003GMT-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30V D SO-8 Compatible with Heatsink RDS(ON) 1.2m Low On-resistance ID 235A G RoHS Compliant & Halogen-Free D S D D Description D AP1A003 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achi
ap1a003gmt-hf.pdf
AP1A003GMT-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30V D SO-8 Compatible with Heatsink RDS(ON) 0.99m Low On-resistance ID 260A G RoHS Compliant & Halogen-Free D S D D Description D AP1A003 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to ach
ap1a003p.pdf
AP1A003P Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D 100% Rg & UIS Test D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 2.1m Fast Switching Characteristic ID4 120A G G RoHS Compliant & Halogen-Free S S Description AP4604 seriesare from Advanced Power innovated design AP1A003series arefrom Advanced Power innovated
Другие MOSFET... AP3D5R0MT , AP3C023AMT , AP3A010MT , AP3A010AMT , AP3700MT , AP2C016LMT , AP2606CMT , AP2602MT , IRFB4227 , AP10TN5R5MT , AP10TN5R5LMT , AP10TN028MT , AP10TN012LMT , AP10TN010CMT , AP10TN008CMT , AP10TN004LCMT , AP10TN004CMT .
History: WMQ60P02TS | JMSL0315AP | IAUC120N04S6N013 | IAUC60N04S6N044 | IPP051N15N5 | ME80N08A-G | MEE4294K-G
History: WMQ60P02TS | JMSL0315AP | IAUC120N04S6N013 | IAUC60N04S6N044 | IPP051N15N5 | ME80N08A-G | MEE4294K-G
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
se9302 transistor | fr5305 datasheet | y2 transistor | 40n06 | bc108b | oc84 | c6090 | ksa1015yta



