IRFI640G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFI640G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 51 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm

Encapsulados: TO220F

 Búsqueda de reemplazo de IRFI640G MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IRFI640G datasheet

 ..1. Size:1146K  international rectifier
 irfi640gpbf.pdf pdf_icon

IRFI640G

PD- 95420 IRFI640GPbF Lead-Free 06/16/04 Document Number 91150 www.vishay.com 1 IRFI640GPbF Document Number 91150 www.vishay.com 2 IRFI640GPbF Document Number 91150 www.vishay.com 3 IRFI640GPbF Document Number 91150 www.vishay.com 4 IRFI640GPbF Document Number 91150 www.vishay.com 5 IRFI640GPbF Document Number 91150 www.vishay.com 6 IRFI640GPbF Document Num

 ..2. Size:172K  international rectifier
 irfi640g.pdf pdf_icon

IRFI640G

 ..3. Size:1799K  vishay
 irfi640g sihfi640g.pdf pdf_icon

IRFI640G

IRFI640G, SiHFI640G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) 200 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; Available RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.18 f = 60 Hz) RoHS* Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Qg (Max.) (nC) 70 COMPLIANT Dynamic dV/dt Rating Qgs (nC) 13 Low Thermal Resistance Qgd (nC) 39 Lead (Pb)-fr

 7.1. Size:212K  1
 irfi640a irfw640a.pdf pdf_icon

IRFI640G

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IRFI620G, IRFI624A, IRFI624G, IRFI630A, IRFI630G, IRFI634A, IRFI634G, IRFI640A, STF13NM60N, IRFI644A, IRFI644G, IRFI710A, IRFI720A, IRFI720G, IRFI730A, IRFI730G, IRFI734G